Поиск по сайту

Поиск по сайту
Поиск по сайту
Рейтинг яндекса

Оперативная память Micron MTA72ASS8G72PSZ-3S2E1 64 GB, DDR4, 3200 MHz

Артикул: MTA72ASS8G72PSZ-3S2E1
Наличие по запросу QR Code
Оперативная память Micron MTA72ASS8G72PSZ-3S2E1 64 GB, DDR4, 3200 MHz
Micron
Флаг Китая и ОАЭ Прямой импорт оборудования
из Китая и ОАЭ без посредников
Наличие по запросу
Micron 64GB DDR4 3200 MT/s CL26 2Rx2 ECC Registered DIMM 288pin

Почему нет цен?

Уточнить цену

Доставка по РФ

Техническая поддержка

Гарантия до 5 лет

Диагностика перед отправкой

С нами выгодно и удобно!

  • Поддержка персонального менеджера
  • Партнёрские скидки до 70%
  • Онлайн-кабинет гарантийного сервиса
?

Как купить?

Раз, два и все дела

Рассчитаем стоимость

Присылайте спецификацию для подбора и расчета стоимости оборудования

1Раз

Привезём и подключим

Подключим и настроим оборудование в вашем офисе или ЦОДе

2Два

Характеристики

Производитель
Модель
MTA72ASS8G72PSZ-3S2E1
Количество контактов
288-pin
Напряжение
1.2 В
Частота оперативной памяти
3200 MHz
Объем ОЗУ
64 Гб
Тип ОЗУ
DDR4

Описание

Оперативная память Micron MTA72ASS8G72PSZ-3S2E1 представляет собой серверный модуль DDR4 RDIMM емкостью 64 ГБ, разработанный для корпоративных платформ и центров обработки данных, где важны высокая пропускная способность и надежность подсистемы памяти. Модуль относится к классу Registered DIMM с поддержкой ECC и рассчитан на эффективную скорость до 3200 MT/s (PC4‑25600), что обеспечивает пропускную способность до 25,6 ГБ/с и делает его подходящим для виртуализации, аналитики, баз данных и других ресурсоемких задач. Архитектура 2Rx2 основана на использовании 3DS‑стека DRAM‑микросхем, формирующих конфигурацию 8G x 72‑bit (64 ГБ) с дополнительной областью для кода коррекции ошибок, что повышает устойчивость к одиночным и многобитовым сбоям. Использование технологии 3DS (3D‑stacked SDRAM) позволяет разместить больший объем памяти в стандартном форм‑факторе 288‑контактного RDIMM без увеличения высоты модуля. Номинальное рабочее напряжение 1,2 В, типичная задержка CL26 и соответствие требованиям JEDEC обеспечивают баланс между производительностью, энергоэффективностью и совместимостью с современными серверными платформами.

Технические характеристики и внутренняя архитектура

  • Объем модуля: 64 ГБ, конфигурация 8G x 72‑bit (8G x 64‑bit данных + 8‑bit ECC), ориентированная на использование в серверных системах с поддержкой ECC.
  • Тип памяти: DDR4 SDRAM Registered DIMM (RDIMM) с поддержкой ECC, форм‑фактор 288‑контактного DIMM.
  • Скорость работы: до 3200 MT/s, класс PC4‑25600 с пропускной способностью 25,6 ГБ/с; также поддерживаются более низкие режимы, такие как DDR4‑2933 и DDR4‑2666.
  • Тайминги: для режима DDR4‑3200 используются задержки CL26‑22‑22 с периодом такта 0,62 нс, что соответствует спецификациям JEDEC для серверной памяти.
  • Архитектура ранков: 2 Package Ranks x 2 Logic Ranks (2Rx2) на базе 3DS‑стеков, что позволяет увеличить плотность памяти при сохранении стабильности сигналов.
  • Технология 3DS: использование двухъярусных стека DRAM (2H Stack) на каждом логическом ранке обеспечивает высокую плотность и снижает нагрузку на разводку платы сервера.
  • Коррекция ошибок: поддержка аппаратного ECC для обнаружения и коррекции ошибок, предназначенная для повышения надежности хранения данных.
  • Электропитание: рабочее напряжение VDD/VDDQ 1,2 В, поддержка типичных функций DDR4, включая On‑Die Termination (ODT) и внутренние опорные уровни Vref.
  • Конструктивные параметры: модуль стандартизированной высоты около 31,25 мм, 288‑контактный разъем, исполнение без галогенов и соответствие директиве RoHS.
  • Назначение: модуль предназначен для использования в серверных и рабочих станциях, требующих высокой емкости памяти и устойчивости к ошибкам, в том числе в конфигурациях с несколькими модулями на канал.

Преимущества для серверных и корпоративных систем

Использование Micron MTA72ASS8G72PSZ-3S2E1 в серверной инфраструктуре позволяет обеспечить значительный объем оперативной памяти на один слот, что упрощает построение конфигураций с большой суммарной емкостью ОЗУ и снижает количество задействованных слотов. Благодаря поддержке скорости до 3200 MT/s и пропускной способности 25,6 ГБ/с модуль хорошо подходит для многопоточных приложений и систем, чувствительных к пропускной способности памяти, таких как виртуализация, in‑memory базы данных и аналитические платформы. Наличие ECC и архитектуры 2Rx2 на базе 3DS‑стеков повышает устойчивость системы к ошибкам и снижает риск некорректной обработки данных при длительной круглосуточной нагрузке.

Поддержка стандартного напряжения 1,2 В и соответствие спецификациям JEDEC упрощают внедрение модуля в существующие и новые серверные платформы без необходимости изменения схемотехники или профилей питания. Форм‑фактор 288‑контактного RDIMM с типовой высотой и без применения нестандартных радиаторов упрощает интеграцию в плотные серверные шасси и стоечные конфигурации. За счет комбинации высокой плотности, надежности ECC и хорошей пропускной способности Micron MTA72ASS8G72PSZ‑3S2E1 является сбалансированным решением для компаний, строящих или модернизирующих серверные кластеры, в том числе для задач виртуализации, VDI и высоконагруженных корпоративных приложений.

Официальное сертифицированное оборудование
Бесплатный
подбор оборудования
Расчёт КП за 20 минут
Отсрочка платежа
до 90 дней
Доставка по Москве 2-3 дня