Оперативная память Samsung M386AAG40BM3-CWE 128 GB, DDR4, 3200 MHz

Артикул: M386AAG40BM3-CWE

Наличие по запросу QR Code

Оперативная память Samsung M386AAG40BM3-CWE 128 GB, DDR4, 3200 MHz

Прямой импорт оборудования
из Китая и ОАЭ без посредников

Наличие по запросу

Samsung DDR4 128GB LRDIMM 3200 1.2V 4Rx4

Почему нет цен?

Уточнить цену

Доставка по РФ

Техническая поддержка

Гарантия до 5 лет

Диагностика перед отправкой

Лизинг от 1.5 млн рублей для компаний из РФ

С нами выгодно и удобно!

Поддержка персонального менеджера
Партнёрские скидки до 70%
Онлайн-кабинет гарантийного сервиса

Как купить?

Раз, два и все дела

Рассчитаем стоимость

Присылайте спецификацию для подбора и расчета стоимости оборудования

1Раз

Привезём и подключим

Подключим и настроим оборудование в вашем офисе или ЦОДе

2Два

Характеристики

Производитель

Samsung

Модель

M386AAG40BM3-CWE

Количество контактов

288-pin

Тип DIMM

LRDIMM

Напряжение

1.2 В

Частота оперативной памяти

3200 MHz

Объем ОЗУ

128 Гб

Тип ОЗУ

DDR4

Описание

Оперативная память Samsung M386AAG40BM3-CWE — это серверный модуль DDR4 LRDIMM емкостью 128 ГБ, ориентированный на использование в высокопроизводительных системах виртуализации, in‑memory‑СУБД, VDI‑фермах и аналитических платформах, где критичен максимально возможный объем ОЗУ на один сервер. Модуль относится к классу Load-Reduced DIMM с поддержкой ECC: буферизация сигналов и уменьшенная нагрузка на шину позволяют контроллеру памяти работать стабильно даже при установке большого числа модулей и высоких суммарных объемах памяти. Соответствие стандарту DDR4‑3200 (PC4‑25600L) обеспечивает пропускную способность до 25 600 МБ/с на канал, что важно для многопоточных приложений, высоконагруженных баз данных и задач высокопроизводительных вычислений. Рабочее напряжение 1,2 В соответствует спецификации DDR4 и помогает удерживать энергопотребление и тепловыделение в допустимых пределах, несмотря на высокую плотность памяти и наличия буферной логики. За счет сочетания архитектуры LRDIMM, ECC и высокой плотности модуль рассчитан на круглосуточную эксплуатацию в критически важных системах, где любые простои и потеря данных недопустимы.

Технические характеристики и внутренняя архитектура

Samsung M386AAG40BM3-CWE построен на базе SDRAM DDR4 и выполнен в форм‑факторе 288‑контактного DIMM, предназначенного для серверных материнских плат с поддержкой LRDIMM и аппаратной коррекции ошибок ECC. Номинальная емкость 128 ГБ на один модуль обеспечивает крупный шаг масштабирования: администраторы могут формировать конфигурации с очень большим объемом оперативной памяти, используя ограниченное количество слотов, что особенно выгодно для in‑memory‑СУБД и систем аналитики в реальном времени. Согласно техническому описанию, модуль имеет ранговость 4Rx4 (quad rank x4) и организацию 16Gx72, реализованную на базе 36 FBGA‑микросхем DRAM 8Gx4 (DDP), то есть двухкристальных чипов повышенной плотности с x4‑организацией. Эффективная частота 3200 МТ/с, стандарт PC4‑25600, пропускная способность 25 600 МБ/с и типичная латентность CL22 формируют сбалансированный профиль задержек и скорости, который хорошо согласуется с современными серверными процессорами, рассчитанными на DDR4‑3200 LRDIMM.

Тип памяти: DDR4 SDRAM, серверный модуль LRDIMM (Load-Reduced DIMM) с поддержкой ECC.
Объем: 128 ГБ на один модуль, поставка в конфигурации 1×128 ГБ.
Скорость: 3200 МТ/с, стандарт PC4‑25600, пропускная способность до 25 600 МБ/с.
Напряжение питания: 1,2 В, в соответствии со спецификацией DDR4.
Ранговость и организация: 4Rx4, структура 16Gx72 на базе 36 DRAM‑микросхем 8Gx4 (DDP).
Форм‑фактор: 288‑контактный DIMM, LRDIMM для серверных материнских плат с поддержкой DDR4.
Назначение: использование в серверах и системах высокопроизводительных вычислений с поддержкой LRDIMM и аппаратной коррекции ошибок.

Преимущества для серверной инфраструктуры и ЦОД

Применение модуля Samsung M386AAG40BM3-CWE в серверной инфраструктуре позволяет существенно увеличить масштабируемость подсистемы памяти: архитектура LRDIMM снижает электрическую нагрузку на контроллер и дает возможность устанавливать больше модулей на канал по сравнению с RDIMM, сохраняя стабильность работы. Объем 128 ГБ на один модуль делает его особенно привлекательным для платформ виртуализации, VDI‑ферм и in‑memory‑СУБД, где на каждый сервер приходится множество виртуальных машин или большие наборы данных, требующие значительного объема ОЗУ. Частота 3200 МТ/с и класс PC4‑25600 обеспечивают достаточную полосу пропускания для многопоточных вычислительных нагрузок и большого числа параллельных обращений к памяти, уменьшая вероятность появления «узких мест» в подсистеме ОЗУ. Поддержка ECC и iMB‑архитектуры LRDIMM повышает устойчивость к единичным ошибкам и электрическим помехам, что критично для ЦОД с жесткими SLA и требованиями к непрерывности работы. В совокупности эти характеристики делают Samsung M386AAG40BM3-CWE оптимальным выбором для построения и модернизации высокоплотных серверных систем, где требуются максимальные объемы памяти, высокая пропускная способность и максимальная надежность.

Официальное сертифицированное оборудование

Бесплатный
подбор оборудования

Расчёт КП за 20 минут

Отсрочка платежа
до 90 дней

Доставка по Москве 2-3 дня

Внимание!

Внимание

Поиск по сайту