Оперативная память Samsung M321RAGA0B20-CWKZJ 128 GB, DDR5, 4800 MHz

Оперативная память Samsung M321RAGA0B20-CWKZJ представляет собой высокоемкий серверный модуль DDR5 RDIMM емкостью 128 ГБ, предназначенный для современных платформ, требовательных к объему оперативной памяти, устойчивости и предсказуемому уровню производительности. Модуль относится к классу DDR5-4800 и соответствует стандарту PC5-38400, обеспечивая эффективную скорость до 4800 МТ/с и пропускную способность порядка 38 400 МБ/с на один DIMM, что позволяет ускорить обмен данными между процессором и памятью в многопоточных приложениях, системах виртуализации и in-memory аналитике. Объем 128 ГБ на один модуль упрощает построение конфигураций с высокой плотностью памяти: можно достичь требуемых сотен гигабайт ОЗУ меньшим количеством модулей, сохраняя свободные слоты для дальнейшего расширения и оптимизируя топологию каналов. Архитектура Registered DIMM с интегрированным регистром для линий тактирования, команд и управления снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти и повышает качество сигнала, что особенно важно при установке нескольких RDIMM на канал и эксплуатации в режимах круглосуточной нагрузки. Поддержка аппаратной коррекции ошибок ECC с добавленными 8‑битными паритетными линиями обеспечивает автоматическое обнаружение и исправление одиночных ошибок в ячейках памяти, минимизируя риск сбоев и потери данных в критически важных корпоративных системах и инфраструктуре ЦОД. Четырехранговая организация 4Rx4 и применение 40 чипов по схеме 8Gb x4-bit на каждом модуле позволяют реализовать высокую емкость при сохранении совместимости с современными серверными контроллерами памяти и стандартным 288‑контактным форм‑фактором RDIMM. Номинальное рабочее напряжение 1,1 В, характерное для DDR5, в сочетании с оптимизированной архитектурой банков и подканалов делает модуль M321RAGA0B20-CWKZJ энергоэффективным решением для масштабируемых серверных платформ.

Ключевые характеристики и архитектура

• Емкость 128 ГБ на один модуль, что позволяет существенно повысить суммарный объем ОЗУ сервера при ограниченном числе слотов DIMM и упростить достижение сотен гигабайт памяти на узел.
• Стандарт DDR5-4800 с пропускной способностью до 38 400 МБ/с (PC5-38400), обеспечивающий высокую скорость обмена данными между процессором и оперативной памятью.
• Тип RDIMM (Registered DIMM) с интегрированным регистром для линий тактирования, команд и управления, повышающим целостность сигналов и стабильность работы при установке нескольких модулей на канал.
• Аппаратная коррекция ошибок ECC с добавленными 8‑битными паритетными линиями, обеспечивающая автоматическое обнаружение и исправление одиночных ошибок в ячейках памяти.
• Четырехранговая организация 4Rx4, основанная на 40 чипах конфигурации 8Gb x4‑bit, обеспечивающая высокую плотность, стабильную пропускную способность и совместимость с серверными контроллерами памяти.
• Форм‑фактор 288‑контактного RDIMM, совместимый с актуальными серверными материнскими платами и обеспечивающий надежный электрический контакт при плотной установке модулей.
• Рабочее напряжение 1,1 В, характерное для DDR5, способствующее снижению энергопотребления и тепловыделения при сохранении требуемой частоты и стабильности работы.
• Ориентация на серверные приложения с поддержкой конфигураций до двух модулей на канал (2DPC) и использованием в платформах, рассчитанных на RDIMM с ECC.

Надежность, масштабируемость и области применения

Модуль Samsung M321RAGA0B20-CWKZJ разработан для эксплуатации в корпоративных и датацентровых средах, где критичны непрерывность работы и предсказуемое поведение системы под высокой нагрузкой. Регистровая архитектура RDIMM в сочетании с ECC значительно снижает вероятность сбоев, связанных с деградацией сигнала, электромагнитными помехами и случайными одиночными ошибками в ячейках памяти, что особенно важно при больших суммарных объемах ОЗУ и высокой плотности модулей на канал. Высокий объем одного DIMM упрощает масштабирование: администраторы могут формировать требуемую емкость памяти меньшим количеством модулей, сохраняя свободные слоты для последующего роста ресурсов по мере увеличения нагрузок. Пропускная способность DDR5-4800 в сочетании с четырехранговой организацией делает данный модуль подходящим для задач виртуализации, VDI, in-memory аналитики, кеширующих слоев для баз данных и других высоконагруженных приложений, чувствительных к задержкам и скорости работы памяти. Благодаря сочетанию высокой емкости, производительности, энергоэффективности и встроенных механизмов обеспечения целостности данных Samsung M321RAGA0B20-CWKZJ является оптимальным выбором для критически важных корпоративных систем — от ERP и CRM до облачных платформ и гиперконвергентных решений, где простои и ошибки памяти недопустимы.