Оперативная память Samsung M321RAJA0MB0-CWMNY 128 GB, DDR5, 5600 MHz

Оперативная память Samsung M321RAJA0MB0-CWMNY представляет собой высокоемкий серверный модуль DDR5 RDIMM емкостью 128 ГБ, относящийся к линейке профессиональной памяти Samsung для корпоративных платформ и инфраструктуры ЦОД. В основе лежит та же аппаратная платформа, что и у базового артикула M321RAJA0MB0-CWM, поэтому ключевые электрические и функциональные характеристики идентичны, а суффикс CWMNY отражает вариант поставки и логистический код, не влияющий на совместимость и режимы работы модуля. Модуль соответствует стандарту DDR5-5600 и классу PC5-44800, обеспечивая эффективную скорость до 5600 МТ/с и пропускную способность порядка 44 800 МБ/с, что позволяет существенно повысить производительность подсистемы памяти в многопоточных приложениях, системах виртуализации и in-memory аналитике. Объем 128 ГБ на один DIMM упрощает построение конфигураций с высокой плотностью ОЗУ: администраторы могут достигать нескольких сотен гигабайт оперативной памяти на узел, используя меньшее количество модулей и сохраняя свободные слоты для дальнейшего расширения. Архитектура Registered DIMM с интегрированным регистром для линий тактирования, команд и управления снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти и улучшает целостность сигналов, что особенно важно в конфигурациях с несколькими RDIMM на канал и при работе на высоких частотах. Поддержка аппаратной коррекции ошибок ECC с добавленными паритетными линиями обеспечивает автоматическое обнаружение и исправление одиночных ошибок в ячейках памяти, минимизируя риск сбоев и потери данных в критически важных корпоративных системах. Двухранговая организация 2Rx4, форм‑фактор 288‑контактного RDIMM и номинальное рабочее напряжение 1,1 В, характерное для DDR5, делают модуль M321RAJA0MB0-CWMNY совместимым с актуальными серверными платформами и энергоэффективным решением для круглосуточной эксплуатации.

Ключевые характеристики и архитектура

• Емкость 128 ГБ на один модуль, что позволяет существенно увеличить суммарный объем ОЗУ сервера при ограниченном числе слотов DIMM и упростить достижение сотен гигабайт памяти на узел.
• Стандарт DDR5-5600 с пропускной способностью до 44 800 МБ/с (PC5-44800), обеспечивающий высокую скорость обмена данными между процессором и подсистемой памяти.
• Тип RDIMM (Registered DIMM) с интегрированным регистром для линий тактирования, команд и управления, повышающим целостность сигналов и стабильность работы при установке нескольких модулей на канал.
• Аппаратная коррекция ошибок ECC с добавленными паритетными линиями, обеспечивающая автоматическое обнаружение и исправление одиночных ошибок в ячейках памяти.
• Двухранговая организация 2Rx4, обеспечивающая баланс между высокой плотностью, пропускной способностью и совместимостью с современными серверными контроллерами памяти.
• Форм‑фактор 288‑контактного RDIMM, совместимый с актуальными серверными материнскими платами и обеспечивающий надежный электрический контакт при плотной установке модулей.
• Рабочее напряжение 1,1 В, характерное для DDR5, способствующее снижению энергопотребления и тепловыделения при сохранении высокой частоты и стабильности работы.
• Поддержка конфигураций до двух модулей на канал (2DPC) и ориентированность на использование в серверных платформах с RDIMM и ECC.

Надежность, масштабируемость и области применения

Модуль Samsung M321RAJA0MB0-CWMNY рассчитан на эксплуатацию в корпоративных и датацентровых средах, где важны непрерывность работы и предсказуемое поведение системы под высокой нагрузкой. Регистровая архитектура RDIMM в сочетании с ECC значительно снижает вероятность сбоев, связанных с деградацией сигнала, электромагнитными помехами и случайными одиночными ошибками в ячейках памяти, что особенно критично при больших суммарных объемах ОЗУ и высокой плотности модулей на канал. Высокий объем одного DIMM упрощает стратегию масштабирования: инфраструктуру можно запускать с меньшим количеством модулей, достигая требуемой емкости памяти, а затем по мере роста нагрузок и требований постепенно заполнять свободные слоты без замены уже установленных модулей. Пропускная способность DDR5-5600 и оптимизированная внутренняя архитектура делают этот модуль подходящим для задач виртуализации, VDI, in-memory аналитики, кеширующих слоев для баз данных и других высоконагруженных приложений, чувствительных к задержкам и скорости работы памяти. Благодаря сочетанию высокой емкости, производительности, энергоэффективности и встроенных механизмов обеспечения целостности данных Samsung M321RAJA0MB0-CWMNY является надежным выбором для критически важных корпоративных систем — от ERP и CRM до облачных платформ и гиперконвергентных решений, где простои и ошибки памяти недопустимы.