Поиск по сайту

Поиск по сайту
Поиск по сайту
Рейтинг яндекса

Оперативная память Samsung M323R2GA3EB0-CWM 16 GB, DDR5, 5600 MHz

Артикул: M323R2GA3EB0-CWM
Наличие по запросу QR Code
Оперативная память Samsung M323R2GA3EB0-CWM 16 GB, DDR5, 5600 MHz
Samsung
Флаг Китая и ОАЭ Прямой импорт оборудования
из Китая и ОАЭ без посредников
Наличие по запросу
Samsung DDR5 DIMM 16GB 5600 1Rx8, 1.1V

Почему нет цен?

Уточнить цену

Доставка по РФ

Техническая поддержка

Гарантия до 5 лет

Диагностика перед отправкой

С нами выгодно и удобно!

  • Поддержка персонального менеджера
  • Партнёрские скидки до 70%
  • Онлайн-кабинет гарантийного сервиса
?

Как купить?

Раз, два и все дела

Рассчитаем стоимость

Присылайте спецификацию для подбора и расчета стоимости оборудования

1Раз

Привезём и подключим

Подключим и настроим оборудование в вашем офисе или ЦОДе

2Два

Характеристики

Производитель
Модель
M323R2GA3EB0-CWM
Количество контактов
288-pin
Напряжение
1.1 В
Частота оперативной памяти
5600 MHz
Объем ОЗУ
16 Гб
Тип ОЗУ
DDR5

Описание

Оперативная память Samsung M323R2GA3EB0-CWM — это модуль DDR5 UDIMM емкостью 16 ГБ, ориентированный на современные настольные ПК и рабочие станции, которым требуется высокая пропускная способность памяти и поддержка актуального стандарта DDR5. Модуль относится к классу unbuffered non‑ECC и работает на эффективной частоте 5600 MT/s (DDR5‑5600, PC5‑44800), обеспечивая пропускную способность до 44 800 МБ/с, что заметно превосходит показатели стандартных DDR4‑решений и улучшает отзывчивость системы при многозадачной работе и ресурсоемких приложениях. Конфигурация 1Rx8 реализована на базе восьми DRAM‑микросхем организации (2G x 8) x 8, формирующих общий объем 2G x 64 (16 ГБ) и оптимизирована для балансировки производительности, задержек и совместимости с широким спектром материнских плат. Номинальное напряжение 1,1 В соответствует стандарту DDR5 JEDEC и помогает снизить энергопотребление и тепловыделение по сравнению с DDR4‑модулями, что особенно важно для компактных корпусов и рабочих станций с высокой плотностью компонентов. Благодаря сочетанию высокой частоты, энергоэффективности и надежной элементной базы Samsung модуль M323R2GA3EB0‑CWM подходит как для сборки новых систем, так и для апгрейда ПК, переходящих на платформу DDR5.

Технические характеристики Samsung M323R2GA3EB0-CWM

  • Объем модуля: 16 ГБ, один модуль в комплекте, что облегчает поэтапное наращивание суммарного объема оперативной памяти.
  • Тип памяти: DDR5 SDRAM, UDIMM (unbuffered DIMM) для настольных систем, без регистра и без ECC.
  • Скорость работы: эффективная частота 5600 MT/s, стандарт DDR5‑5600 / PC5‑44800 с пропускной способностью до 44 800 МБ/с.
  • Тайминги: CAS‑латентность CL46 для режима DDR5‑5600, оптимизированная для настольных платформ.
  • Организация: 1R x 8, архитектура на восьми кристаллах DRAM конфигурации (2G x 8) x 8 (2G x 64 = 16 ГБ).
  • Форм‑фактор: 288‑контактный UDIMM стандартной высоты, совместимый с материнскими платами, поддерживающими DDR5 DIMM.
  • Напряжение питания: 1,1 В, соответствующее стандарту DDR5 и способствующее снижению энергопотребления по сравнению с DDR4 (1,2 В).
  • Коррекция ошибок: non‑ECC, модуль не поддерживает аппаратную коррекцию ошибок и предназначен для потребительских и офисных систем.
  • Применение: настольные ПК, рабочие станции начального и среднего уровня, мультимедийные системы с поддержкой DDR5.
  • Производитель: Samsung, один из лидеров в области DRAM, что гарантирует высокий уровень надежности и широкую совместимость.

Преимущества для современных настольных систем

Использование Samsung M323R2GA3EB0-CWM в настольной системе позволяет в полной мере раскрыть преимущества стандарта DDR5, обеспечивая значительно более высокую пропускную способность и лучшую энергоэффективность по сравнению с DDR4‑модулями. Частота 5600 MT/s и пропускная способность до 44 800 МБ/с обеспечивают быстрый отклик системы при работе с большими документами, таблицами, множеством браузерных вкладок, а также при запуске современных мультимедийных и творческих приложений. Конфигурация 1Rx8 и форм‑фактор UDIMM упрощают интеграцию модуля в большинство актуальных материнских плат — достаточно установить планку в DDR5‑слот и при необходимости активировать профиль DDR5‑5600 в BIOS.

Энергоэффективное питание 1,1 В снижает нагрузку на подсистему питания и уменьшает тепловыделение, что важно для компактных корпусов и систем с ограниченным охлаждением. Отсутствие ECC делает модуль более доступным по цене и оптимальным для домашних и офисных ПК, где требования к аппаратной коррекции ошибок ниже, чем в серверной среде. В совокупности высокая скорость, современный стандарт DDR5, качественная элементная база и широкая совместимость делают Samsung M323R2GA3EB0‑CWM удачным выбором для сборки и модернизации настольных систем, рассчитанных на длительную стабильную работу и актуальную производительность.

Официальное сертифицированное оборудование
Бесплатный
подбор оборудования
Расчёт КП за 20 минут
Отсрочка платежа
до 90 дней
Доставка по Москве 2-3 дня