Почему нет цен?
Уточнить ценуГарантия до 5 лет
Диагностика перед отправкой
Присылайте спецификацию для подбора и расчета стоимости оборудования
Подключим и настроим оборудование в вашем офисе или ЦОДе
Оперативная память Samsung M324R2GA3BB0-CQK — это модуль DDR5 ECC UDIMM емкостью 16 ГБ, рассчитанный на использование в рабочих станциях, серверах и высокопроизводительных настольных системах, требующих повышенной надежности подсистемы памяти. Модуль соответствует стандарту PC5-38400 и работает на эффективной частоте 4800 МТ/с, обеспечивая высокую пропускную способность при выполнении ресурсоемких задач, таких как виртуализация, обработка больших массивов данных и профессиональные приложения. Использование стандарта DDR5 позволяет получить более высокую плотность и эффективность по сравнению с DDR4, благодаря увеличенной пропускной способности и улучшенной архитектуре управления питанием. Наличие поддержки ECC (Error Correcting Code) и небуферизованного форм-фактора UDIMM делает модуль подходящим для систем, где критична целостность данных, но при этом требуется сохранение минимальных задержек и совместимость с однопроцессорными платформами и рабочими станциями. Благодаря сочетанию емкости 16 ГБ, частоты 4800 МТ/с и поддержке ECC данный модуль может служить надежной основой для построения стабильных и производительных конфигураций нового поколения.
Модуль Samsung M324R2GA3BB0-CQK выполнен в форм-факторе 288‑контактного DIMM и относится к классу DDR5 ECC UDIMM, то есть небуферизованной памяти с коррекцией ошибок, ориентированной на профессиональные и полупрофессиональные системы. Объем одного модуля составляет 16 ГБ, что позволяет гибко масштабировать конфигурацию, устанавливая несколько модулей для достижения необходимого суммарного объема памяти в рабочей станции или сервере начального/среднего уровня. Частотная спецификация DDR5‑4800 (PC5‑38400) обеспечивает пропускную способность до 38 400 МБ/с, что особенно важно для приложений, активно работающих с оперативной памятью и чувствительных к пропускной способности шины. Модуль использует стандартное для DDR5 напряжение 1,1 В, что уменьшает энергопотребление по сравнению с предыдущими поколениями и способствует снижению тепловой нагрузки системы при сохранении высокой производительности. По данным спецификаций, модуль реализован как однorangovyy (1Rx8) UDIMM с организацией x8, что упрощает работу контроллера памяти и обеспечивает предсказуемые задержки при типичных рабочих нагрузках.
Samsung M324R2GA3BB0-CQK ориентирован на применение в системах, где требуется сочетание высокой производительности и повышенной надежности памяти, включая рабочие станции для инженерных и научных задач, серверы малого и среднего бизнеса, а также специализированные промышленные компьютеры. Поддержка ECC позволяет автоматически обнаруживать и корректировать одиночные битовые ошибки, возникающие при передаче или хранении данных в ячейках памяти, снижая риск неожиданных сбоев, повреждения файлов и некорректной работы приложений. Благодаря архитектуре DDR5 и частоте 4800 МТ/с модуль обеспечивает высокую пропускную способность, что заметно улучшает отклик системы в сценариях с интенсивным использованием оперативной памяти, таких как виртуальные машины, CAD/CAM‑приложения, научные расчеты и обработка медиа-контента. Форм-фактор UDIMM в сочетании с ECC делает данный модуль особенно привлекательным для рабочих станций и однопроцессорных серверов, где важна совместимость с обычными слотами DIMM при одновременном повышении надежности по сравнению с не‑ECC памятью. В результате использование M324R2GA3BB0-CQK позволяет построить современную платформу на базе DDR5, которая сочетает в себе высокую производительность, энергоэффективность и повышенную устойчивость к ошибкам памяти, соответствуя требованиям профессиональных пользователей и корпоративной инфраструктуры.