Внимание
Мы работаем в штатном режиме. Наши склады готовы поставлять оборудование клиентам из Российской Федерации несмотря на санкционные запреты ЕС и США. Оборудование в РФ ввозится легально благодаря новому законодательству с параллельным импортом. Звоните и уточняйте! Информация актуальна на 25.10.26В связи с участившимися случаями недобросовестной конкуренции обращаем ваше внимание, что мы не передаем персональные данные третьим лицам
Поиск по сайту
Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM 16 GB, DDR5, 5600 MHz
Наличие по запросу 
Прямой импорт оборудованияиз Китая и ОАЭ без посредников
Наличие по запросу
Почему нет цен?
Уточнить цену
Гарантия до 5 лет
Диагностика перед отправкой
С нами выгодно и удобно!
- Поддержка персонального менеджера
- Партнёрские скидки до 70%
- Онлайн-кабинет гарантийного сервиса
?
Как купить?
Раз, два и все делаРассчитаем стоимость
Присылайте спецификацию для подбора и расчета стоимости оборудования
1Раз
Привезём и подключим
Подключим и настроим оборудование в вашем офисе или ЦОДе
2Два
Характеристики
Производитель
Модель
M425R2GA3BB0-CWM
Количество контактов
262-pin
Напряжение
1.1 В
Частота оперативной памяти
5600 MHz
Объем ОЗУ
16 Гб
Тип ОЗУ
DDR5
Описание
Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM — это модуль DDR5 SODIMM емкостью 16 ГБ, предназначенный для современных ноутбуков и компактных систем, поддерживающих стандарт DDR5 и требующих высокой пропускной способности памяти. Модуль относится к классу unbuffered non‑ECC и работает на эффективной частоте 5600 MT/s (DDR5‑5600, PC5‑44800), обеспечивая пропускную способность до 44 800 МБ/с, что дает заметный прирост производительности по сравнению с DDR4‑решениями. Конфигурация 1Rx8 реализована на базе восьми DRAM‑кристаллов организации (2G x 8) x 8, формирующих общий объем 2G x 64 (16 ГБ), и обеспечивает оптимальный баланс между задержками, пропускной способностью и совместимостью с широким спектром мобильных платформ. Номинальное напряжение 1,1 В соответствует стандарту DDR5 JEDEC и снижает нагрузку на подсистему питания ноутбука, что положительно влияет на время автономной работы и тепловой режим системы. Благодаря сочетанию высокой частоты, энергоэффективности и компактного форм‑фактора модуль Samsung M425R2GA3BB0‑CWM подходит как для апгрейда существующих ноутбуков, так и для комплектации новых мобильных устройств.
Технические характеристики Samsung M425R2GA3BB0-CWM
- Объем модуля: 16 ГБ, один модуль в комплекте, что упрощает поэтапное расширение оперативной памяти ноутбука.
- Тип памяти: DDR5 SDRAM, SO‑DIMM (SODIMM) форм‑фактора 262 контакта, предназначенный для ноутбуков и компактных систем.
- Скорость работы: эффективная частота 5600 MT/s, стандарт DDR5‑5600 / PC5‑44800 с пропускной способностью до 44 800 МБ/с.
- Тайминги: CAS‑латентность CL40 или CL46 (в зависимости от ревизии и профиля), соответствующая JEDEC‑профилю для DDR5‑5600.
- Организация: 1R x 8, архитектура на восьми DRAM‑кристаллах конфигурации (2G x 8) x 8 (2G x 64 = 16 ГБ).
- Напряжение питания: 1,1 В, соответствующее стандарту DDR5 и способствующее снижению энергопотребления и тепловыделения по сравнению с DDR4‑модулями.
- Форм‑фактор: 262‑контактный SODIMM стандартной высоты, совместимый с большинством ноутбуков, поддерживающих DDR5‑память.
- Коррекция ошибок: non‑ECC, модуль не поддерживает аппаратную коррекцию ошибок и ориентирован на клиентские мобильные системы.
- Применение: ноутбуки, мини‑ПК, неттопы и другие компактные устройства, требующие высокой пропускной способности и энергоэффективной памяти.
- Производитель: Samsung Electronics, один из лидеров рынка DRAM, что гарантирует высокий уровень надежности и совместимости с широким спектром устройств.
Преимущества для ноутбуков и компактных систем
Использование Samsung M425R2GA3BB0-CWM в ноутбуке позволяет ощутимо повысить скорость работы системы при многозадачности, работе с большими документами, мультимедийным контентом и современными приложениями, активно использующими оперативную память, благодаря частоте 5600 MT/s и пропускной способности до 44 800 МБ/с. Переход на DDR5 по сравнению с DDR4 обеспечивает более высокую пропускную способность и улучшенную энергоэффективность, что особенно важно для мобильных устройств с ограниченными ресурсами питания и охлаждения. Конфигурация 1Rx8 и форм‑фактор 262‑контактного SODIMM обеспечивают широкую совместимость: в большинстве случаев достаточно установить модуль в свободный слот, и система автоматически определит его параметры и частоту.
Номинальное напряжение 1,1 В снижает нагрузку на подсистему питания и способствует уменьшению тепловыделения, что положительно влияет на стабильность работы и акустический комфорт системы охлаждения. Отсутствие ECC делает модуль более доступным по стоимости и оптимальным для массовых мобильных систем, где аппаратная коррекция ошибок не является критичным требованием. В совокупности высокая скорость, современный стандарт DDR5, энергоэффективность и надежность бренда Samsung делают M425R2GA3BB0‑CWM удачным выбором для апгрейда и конфигурации ноутбуков и компактных ПК, рассчитанных на длительную стабильную работу и высокий уровень производительности.
Официальное сертифицированное оборудование
Бесплатный
подбор оборудования
подбор оборудования
Расчёт КП за 20 минут
Отсрочка платежа
до 90 дней
до 90 дней
Доставка по Москве 2-3 дня
