Поиск по сайту

Поиск по сайту
Поиск по сайту
Рейтинг яндекса

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB0-CWMKJ 32 GB, DDR5, 5600 MHz

Артикул: M321R4GA3EB0-CWMKJ
Наличие по запросу QR Code
Оперативная память Samsung M321R4GA3EB0-CWMKJ 32 GB, DDR5, 5600 MHz
Samsung
Флаг Китая и ОАЭ Прямой импорт оборудования
из Китая и ОАЭ без посредников
Наличие по запросу
Samsung DDR5 32GB RDIMM 5600 2Rx8 1.1V

Почему нет цен?

Уточнить цену

Доставка по РФ

Техническая поддержка

Гарантия до 5 лет

Диагностика перед отправкой

С нами выгодно и удобно!

  • Поддержка персонального менеджера
  • Партнёрские скидки до 70%
  • Онлайн-кабинет гарантийного сервиса
?

Как купить?

Раз, два и все дела

Рассчитаем стоимость

Присылайте спецификацию для подбора и расчета стоимости оборудования

1Раз

Привезём и подключим

Подключим и настроим оборудование в вашем офисе или ЦОДе

2Два

Характеристики

Производитель
Модель
M321R4GA3EB0-CWMKJ
Количество контактов
288-pin
Тип DIMM
RDIMM
Напряжение
1.1 В
Частота оперативной памяти
5600 MHz
Объем ОЗУ
32 Гб
Тип ОЗУ
DDR5

Описание

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB0-CWMKJ — это серверный модуль DDR5 RDIMM емкостью 32 ГБ, предназначенный для современных платформ, где требуются высокая пропускная способность и надежность подсистемы памяти. Он относится к классу DDR5 с эффективной скоростью 5600 МТ/с и профилем PC5‑44800, обеспечивая пропускную способность до 44 800 МБ/с на модуль, что особенно важно для задач виртуализации, работы с базами данных и аналитических приложений с интенсивным обменом данными. Конфигурация 2Rx8, официально указанная Samsung для модели M321R4GA3EB0‑CWM, предполагает двухранговую организацию на базе микросхем x8, обеспечивая баланс между плотностью, производительностью и устойчивостью работы контроллера памяти в конфигурациях 1DPC и 2DPC. Рабочее напряжение 1,1 В соответствует стандарту DDR5 и способствует снижению энергопотребления и тепловыделения по сравнению с модулями DDR4, что важно для высокоплотных стоечных решений и круглосуточной эксплуатации в ЦОД. Индекс CWMKJ обозначает конкретный вариант исполнения и поставки (part code), при этом ключевые электрические и эксплуатационные характеристики соответствуют базовой модели M321R4GA3EB0‑CWM, описанной в официальной спецификации Samsung.

Технические характеристики и архитектура DDR5 RDIMM

Модуль Samsung M321R4GA3EB0-CWMKJ относится к серверной памяти DDR5 RDIMM (Registered DIMM) с поддержкой ECC и ориентирован на использование в корпоративных системах, где критичны предсказуемость поведения и устойчивость к ошибкам. Объем одного модуля 32 ГБ позволяет существенно увеличивать суммарный объем оперативной памяти сервера, заполняя слоты по каналам в соответствии с рекомендациями производителя платформы и требованиями нагрузки. Частота 5600 МГц при профиле PC5‑44800 обеспечивает высокую пропускную способность, что особенно важно для сценариев с интенсивным обращением к памяти, таких как in‑memory базы данных, виртуальные среды и аналитические системы. Конфигурация 2Rx8 предполагает использование двух рангов по x8, что улучшает использование полосы пропускания и совместимость с контроллерами памяти современных серверных процессоров. Поддержка ECC реализована за счет дополнительных битов четности, позволяющих автоматически корректировать одиночные ошибки и обнаруживать ряд многобитных, тем самым повышая надежность хранения и обработки данных в критичных приложениях.

  • Емкость: 32 ГБ на один модуль DDR5 RDIMM, предназначенный для серверных платформ с поддержкой Registered ECC-памяти.
  • Стандарт: DDR5, профиль PC5‑44800 с эффективной частотой 5600 МТ/с и пропускной способностью до 44 800 МБ/с.
  • Конфигурация: 2Rx8, двухранговый модуль на базе микросхем x8, обеспечивающий баланс между емкостью и производительностью.
  • Форм‑фактор: 288‑контактный RDIMM (Registered DIMM), совместимый с современными серверными материнскими платами, поддерживающими DDR5.
  • Поддержка ECC: наличие коррекции ошибок за счет дополнительных битов для автоматического исправления одиночных и обнаружения части многобитных ошибок.
  • Буферизация: регистровая (Registered), стабилизирующая сигналы адреса и команд при высокой плотности модулей и многоканальных конфигурациях.
  • Напряжение питания: 1,1 В, соответствующее стандарту DDR5 и способствующее повышенной энергоэффективности.
  • Типичные тайминги: CAS Latency CL46 для режима DDR5‑5600, обеспечивающие стабильную работу на заявленной частоте.

Назначение, совместимость и преимущества для серверных систем

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB0-CWMKJ ориентирована на использование в серверах общего назначения, высокопроизводительных вычислительных комплексах и корпоративных решениях хранения данных, где требуются высокая пропускная способность и надежность подсистемы памяти. Благодаря поддержке DDR5‑5600, ECC и регистровой архитектуры модуль хорошо подходит для сценариев с интенсивным доступом к памяти, включая in‑memory базы данных, аналитические платформы, виртуализированные среды и многопользовательские приложения. Стандартный форм‑фактор DDR5 RDIMM и соответствие профилю PC5‑44800 обеспечивают совместимость с современными серверными платформами, поддерживающими DDR5 RDIMM, что упрощает модернизацию существующей инфраструктуры и внедрение новых конфигураций на базе актуальных процессорных архитектур. Низкое рабочее напряжение 1,1 В и использование фирменных микросхем Samsung помогают снизить энергопотребление и тепловыделение при сохранении устойчивости работы в условиях круглосуточной нагрузки и высокой плотности установки в стойках ЦОД. В совокупности характеристики M321R4GA3EB0-CWMKJ делают его надежным базовым элементом для построения масштабируемых серверных систем, обеспечивающих баланс между производительностью, энергоэффективностью и устойчивостью к ошибкам памяти.

Официальное сертифицированное оборудование
Бесплатный
подбор оборудования
Расчёт КП за 20 минут
Отсрочка платежа
до 90 дней
Доставка по Москве 2-3 дня