Поиск по сайту

Поиск по сайту
Поиск по сайту
Рейтинг яндекса

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB0-CWMXJ 32 GB, DDR5, 5600 MHz

Артикул: M321R4GA3EB0-CWMXJ
Наличие по запросу QR Code
Оперативная память Samsung M321R4GA3EB0-CWMXJ 32 GB, DDR5, 5600 MHz
Samsung
Флаг Китая и ОАЭ Прямой импорт оборудования
из Китая и ОАЭ без посредников
Наличие по запросу
Samsung DDR5 32GB RDIMM 5600 2Rx8 1.1V

Почему нет цен?

Уточнить цену

Доставка по РФ

Техническая поддержка

Гарантия до 5 лет

Диагностика перед отправкой

С нами выгодно и удобно!

  • Поддержка персонального менеджера
  • Партнёрские скидки до 70%
  • Онлайн-кабинет гарантийного сервиса
?

Как купить?

Раз, два и все дела

Рассчитаем стоимость

Присылайте спецификацию для подбора и расчета стоимости оборудования

1Раз

Привезём и подключим

Подключим и настроим оборудование в вашем офисе или ЦОДе

2Два

Характеристики

Производитель
Модель
M321R4GA3EB0-CWMXJ
Количество контактов
288-pin
Тип DIMM
RDIMM
Напряжение
1.1 В
Частота оперативной памяти
5600 MHz
Объем ОЗУ
32 Гб
Тип ОЗУ
DDR5

Описание

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB0-CWMXJ — это серверный модуль DDR5 RDIMM емкостью 32 ГБ, предназначенный для современных платформ, предъявляющих высокие требования к пропускной способности и надежности подсистемы памяти. Он основан на архитектуре DDR5 и соответствует профилю PC5‑44800, что при эффективной частоте 5600 МТ/с обеспечивает пропускную способность до 44 800 МБ/с на модуль и заметно повышает производительность по сравнению с DDR4‑решениями. Модуль выполнен в конфигурации 2Rx8 — двухранговый DIMM на базе микросхем организации x8, что позволяет увеличить плотность и эффективно задействовать каналы памяти в многоканальных серверных конфигурациях. Рабочее напряжение 1,1 В соответствует стандарту DDR5 и способствует снижению энергопотребления и тепловыделения, что особенно актуально для плотных стоечных систем и круглосуточной эксплуатации в ЦОД. Индекс CWMXJ относится к варианту исполнения/поставки, при этом ключевые электрические и эксплуатационные характеристики соответствуют базовой модели M321R4GA3EB0‑CWM, описанной в официальной документации Samsung как серверный модуль DDR5 RDIMM 32 ГБ 5600 МТ/с.

Технические характеристики и архитектура DDR5 RDIMM

Модуль Samsung M321R4GA3EB0-CWMXJ относится к классу DDR5 RDIMM (Registered DIMM) с поддержкой ECC и ориентирован на использование в серверных и корпоративных системах, где критичны предсказуемость работы и устойчивость к ошибкам памяти. Объем одного модуля составляет 32 ГБ, что позволяет существенно увеличивать суммарный объем оперативной памяти сервера, заполняя слоты по каналам в соответствии с рекомендациями производителя платформы и профилем нагрузки приложений. Частота 5600 МГц при профиле PC5‑44800 обеспечивает высокую пропускную способность, необходимую для сценариев с интенсивным обменом данными между процессором и памятью, включая виртуальные среды, in‑memory базы данных и аналитические системы. Конфигурация 2Rx8, указанная Samsung для серии M321R4GA3EB0‑CWM, подразумевает двухранговый модуль на базе микросхем x8, что дает оптимальный баланс между емкостью, задержками и стабильностью работы контроллера памяти в конфигурациях 1DPC и 2DPC. Поддержка ECC реализуется за счет добавления дополнительных битов контроля четности, что позволяет автоматически корректировать одиночные ошибки и обнаруживать ряд многобитных, повышая надежность хранения и обработки данных в критически важных приложениях.

  • Емкость: 32 ГБ на один модуль DDR5 RDIMM, рассчитанный на серверные платформы с поддержкой Registered ECC‑памяти.
  • Стандарт: DDR5, профиль PC5‑44800 с эффективной частотой 5600 МТ/с и пропускной способностью до 44 800 МБ/с.
  • Конфигурация: 2Rx8 (двухранговый модуль x8), обеспечивающая баланс между плотностью, производительностью и совместимостью с контроллерами памяти.
  • Форм‑фактор: 288‑контактный RDIMM (Registered DIMM), предназначенный для серверных материнских плат, поддерживающих DDR5 RDIMM.
  • Поддержка ECC: наличие коррекции ошибок для автоматического исправления одиночных битовых ошибок и обнаружения ряда многобитных.
  • Буферизация: регистровая (Registered), стабилизирующая сигналы адреса и команд при высокой плотности модулей и многоканальных конфигурациях.
  • Напряжение питания: 1,1 В в соответствии со стандартом DDR5, что способствует повышенной энергоэффективности и снижению тепловой нагрузки.
  • Типичные тайминги: CAS Latency CL40 для режима DDR5‑5600, обеспечивающие стабильную работу на заявленной частоте.

Назначение, совместимость и преимущества для серверных систем

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB0-CWMXJ предназначена для использования в серверах общего назначения, высокопроизводительных вычислительных комплексах и корпоративных системах хранения данных, где требуются высокая пропускная способность и надежность памяти. Благодаря сочетанию частоты 5600 МТ/с, конфигурации 2Rx8, поддержки ECC и регистровой архитектуры модуль хорошо подходит для сценариев с интенсивным доступом к памяти, таких как in‑memory базы данных, аналитические платформы, виртуализированные среды и многопользовательские приложения. Стандартный форм‑фактор DDR5 RDIMM и соответствие профилю PC5‑44800 обеспечивают совместимость с современными серверными платформами, поддерживающими DDR5 RDIMM, что упрощает модернизацию существующей инфраструктуры и внедрение новых конфигураций на базе актуальных процессорных архитектур. Низкое рабочее напряжение 1,1 В в сочетании с фирменными микросхемами Samsung помогает снизить энергопотребление и тепловыделение при сохранении устойчивости работы в условиях круглосуточной нагрузки и высокой плотности установки в стойках ЦОД. В совокупности характеристики M321R4GA3EB0-CWMXJ делают этот модуль надежным базовым элементом для построения масштабируемых серверных систем, обеспечивающих сбалансированное сочетание производительности, энергоэффективности и устойчивости к ошибкам памяти.

Официальное сертифицированное оборудование
Бесплатный
подбор оборудования
Расчёт КП за 20 минут
Отсрочка платежа
до 90 дней
Доставка по Москве 2-3 дня