Оперативная память Samsung M321R4GA3EB2-CCPEF 32 GB, DDR5, 6400 MHz

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB2-CCPEF представляет собой серверный модуль DDR5 RDIMM емкостью 32 ГБ, рассчитанный на современные платформы, предъявляющие высокие требования к пропускной способности и надежности подсистемы памяти. Модуль относится к классу DDR5‑6400 и соответствует профилю PC5‑51200, что при эффективной скорости 6400 МТ/с обеспечивает пропускную способность до 51 200 МБ/с на один DIMM и делает его оптимальным выбором для задач виртуализации, in‑memory баз данных и аналитических приложений с интенсивным обменом данными. Согласно официальной спецификации Samsung для модели M321R4GA3EB2‑CCP, модуль выполнен в конфигурации 2R x 8, то есть это двухранговый RDIMM на базе микросхем организации 2Gx8, что обеспечивает сбалансированное сочетание плотности, производительности и устойчивости контроллера памяти в конфигурациях до двух модулей на канал (2DPC). Рабочее напряжение 1,1 В соответствует стандарту DDR5 и способствует снижению энергопотребления и тепловыделения по сравнению с решениями предыдущего поколения, что особенно важно для высокоплотных стоечных систем и круглосуточной эксплуатации в ЦОД. Суффикс CCPEF относится к варианту исполнения и поставки внутри семейства M321R4GA3EB2‑CCP, при этом электрические и эксплуатационные характеристики соответствуют официальному описанию серверного модуля DDR5 RDIMM 32 ГБ 6400 МТ/с с поддержкой ECC и регистровой архитектуры.

Технические характеристики и архитектура DDR5 RDIMM

Модуль Samsung M321R4GA3EB2-CCPEF относится к серверной памяти DDR5 RDIMM (Registered DIMM) с поддержкой ECC и ориентирован на корпоративные платформы, где критичны предсказуемость работы и повышенная отказоустойчивость. Объем одного модуля составляет 32 ГБ, при этом в комплекте поставляется один DIMM, что позволяет гибко масштабировать суммарный объем оперативной памяти сервера, заполняя слоты по каналам в соответствии с рекомендациями производителя системной платы и профилем нагрузки приложений. Тактовая частота 6400 МГц при профиле PC5‑51200 обеспечивает высокую пропускную способность, востребованную в сценариях с интенсивным обменом данными между процессором и памятью, включая виртуализированные среды, высоконагруженные транзакционные системы и аналитические решения в реальном времени. Конфигурация 2R x 8, зафиксированная в документации Samsung, означает двухранговый модуль на базе компонентов организации 2Gx8, что дает оптимальный баланс между плотностью, задержками и стабильностью работы контроллера памяти при установке до двух модулей на канал. Поддержка ECC реализуется за счет добавления восьми бит четности, позволяющих автоматически корректировать одиночные ошибки и обнаруживать ряд многобитных, тем самым повышая надежность хранения и обработки данных в критически важных бизнес‑приложениях.

• Емкость: 32 ГБ на один модуль DDR5 RDIMM, предназначенный для серверных платформ с поддержкой Registered ECC‑памяти.
• Стандарт: DDR5, профиль PC5‑51200 с эффективной частотой 6400 МТ/с и пропускной способностью до 51 200 МБ/с.
• Конфигурация: 2R x 8 (двухранговый модуль на базе микросхем 2Gx8), обеспечивающая баланс между плотностью, производительностью и устойчивостью работы контроллера памяти.
• Форм‑фактор: 288‑контактный RDIMM (Registered DIMM), совместимый с современными серверными материнскими платами, поддерживающими DDR5 RDIMM.
• Поддержка ECC: наличие схемы коррекции ошибок с добавлением 8 бит четности для автоматического исправления одиночных и обнаружения части многобитных ошибок.
• Буферизация: регистровая (Registered), с отдельным регистром для сигналов тактирования, команд и управления, стабилизирующим работу при высокой плотности модулей и конфигурациях 2DPC.
• Напряжение питания: 1,1 В, соответствующее стандарту DDR5 и способствующее повышенной энергоэффективности и снижению тепловой нагрузки.
• Типичные тайминги: CAS Latency CL52 для режима DDR5‑6400, обеспечивающие устойчивую работу модуля на заявленной частоте.

Назначение, совместимость и преимущества для серверных систем

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB2-CCPEF ориентирована на использование в серверах общего назначения, высокопроизводительных вычислительных комплексах и корпоративных системах хранения данных, где необходимы высокая пропускная способность и надежность подсистемы памяти. Высокая скорость DDR5‑6400 в сочетании с конфигурацией 2Rx8, поддержкой ECC и регистровой архитектуры делает этот модуль особенно подходящим для сценариев с интенсивным доступом к памяти, включая in‑memory базы данных, аналитические платформы, облачные и виртуализированные среды, а также многопользовательские приложения. Стандартный форм‑фактор DDR5 RDIMM и соответствие профилю PC5‑51200 обеспечивают совместимость с актуальными серверными платформами Intel и AMD, поддерживающими DDR5 RDIMM, что упрощает модернизацию существующей инфраструктуры и внедрение новых конфигураций на базе современных процессорных архитектур. Низкое рабочее напряжение 1,1 В и использование фирменных микросхем Samsung помогают снизить энергопотребление и тепловыделение при сохранении стабильности работы в условиях круглосуточной нагрузки и высокой плотности установки в стойках ЦОД. В совокупности характеристики M321R4GA3EB2-CCPEF позволяют рассматривать его как надежный строительный блок для масштабируемых серверных систем, обеспечивающих сбалансированное сочетание производительности, энергоэффективности и устойчивости к ошибкам памяти.