Оперативная память Samsung M321R4GA3EB2-CCPKF 32 GB, DDR5, 6400 MHz

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB2-CCPKF — это серверный модуль DDR5 RDIMM емкостью 32 ГБ, предназначенный для современных платформ, которым требуются высокая пропускная способность и надежность подсистемы памяти. Он относится к стандарту DDR5‑6400 и соответствует профилю PC5‑51200, обеспечивая эффективную скорость 6400 МТ/с и пропускную способность до 51 200 МБ/с на модуль, что делает его оптимальным решением для систем виртуализации, in‑memory баз данных и аналитических приложений с интенсивным обменом данными. Модуль выполнен в форм‑факторе 288‑контактного RDIMM с поддержкой ECC и регистровой буферизации, что ориентировано на использование в серверных материнских платах, где критична устойчивость к ошибкам и стабильность работы при высокой плотности памяти. Согласно спецификациям для серии M321R4GA3EB2‑CCP, модуль реализован как Registered DIMM с поддержкой коррекции ошибок ECC, что позволяет автоматически исправлять одиночные и обнаруживать часть многобитных ошибок, повышая надежность хранения и обработки данных в критичных бизнес‑системах. Суффикс CCPKF обозначает конкретный вариант исполнения и поставки внутри семейства M321R4GA3EB2‑CCP, при этом электрические и эксплуатационные характеристики соответствуют официально заявленным параметрам Samsung для DDR5 32 ГБ RDIMM 6400 МГц с ECC и регистровой архитектурой.

Технические характеристики и архитектура DDR5 RDIMM

Модуль Samsung M321R4GA3EB2-CCPKF относится к серверной памяти DDR5 RDIMM (Registered DIMM) и рассчитан на использование в корпоративных системах, где важны предсказуемость поведения и повышенная отказоустойчивость. Объем одного DIMM составляет 32 ГБ, в поставке предусматривается один модуль, что позволяет гибко масштабировать суммарный объем оперативной памяти сервера, заполняя каналы согласно рекомендациям производителя платформы и требованиям приложений. Тактовая частота 6400 МГц при профиле PC5‑51200 обеспечивает высокую пропускную способность, востребованную в задачах с интенсивным обменом данными между процессором и оперативной памятью, таких как виртуализированные среды, высоконагруженные транзакционные системы и аналитические решения. Для серии M321R4GA3EB2‑CCP в спецификациях приводится конфигурация 2Rx8 (Dual Rank x8), то есть двухранговый модуль на базе микросхем x8, что обеспечивает оптимальный баланс между плотностью, задержками и стабильностью работы контроллера памяти в конфигурациях до двух модулей на канал (2DPC). Наличие ECC и регистровой архитектуры означает, что модуль оснащен аппаратными средствами коррекции ошибок и регистровой буферизацией сигналов адреса и команд, повышающими устойчивость к помехам и упрощающими работу памяти в многоканальных конфигурациях.

• Емкость: 32 ГБ на один модуль DDR5 RDIMM, ориентированный на серверные платформы с поддержкой Registered ECC‑памяти.
• Стандарт: DDR5, профиль PC5‑51200 с эффективной частотой 6400 МГц и пропускной способностью до 51 200 МБ/с.
• Конфигурация: 2Rx8 (Dual Rank x8), обеспечивающая баланс между плотностью, производительностью и совместимостью с современными контроллерами памяти.
• Форм‑фактор: 288‑контактный RDIMM (Registered DIMM), предназначенный для серверных материнских плат с поддержкой DDR5 RDIMM.
• Поддержка ECC: аппаратная коррекция ошибок с использованием дополнительных битов для автоматического исправления одиночных и обнаружения части многобитных ошибок.
• Буферизация: регистровая (Registered), с отдельным регистром для сигналов тактирования, адреса и команд, стабилизирующим работу при высокой плотности модулей.
• Напряжение питания: 1,1 В, соответствующее стандарту DDR5 и способствующее повышенной энергоэффективности и снижению тепловой нагрузки.
• Тайминги: CAS Latency CL52 для режима DDR5‑6400, обеспечивающие устойчивую работу на заявленной частоте в серверных сценариях.

Назначение, совместимость и преимущества для серверных систем

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB2-CCPKF предназначена для использования в серверах общего назначения, высокопроизводительных вычислительных комплексах и корпоративных системах хранения данных, где необходимы высокая пропускная способность и надежность подсистемы памяти. Высокая скорость DDR5‑6400, конфигурация 2Rx8, поддержка ECC и регистровая архитектура делают этот модуль особенно подходящим для сценариев с интенсивным доступом к памяти, включая in‑memory базы данных, аналитические платформы, виртуализированные среды и многопользовательские приложения. Стандартный форм‑фактор DDR5 RDIMM и соответствие профилю PC5‑51200 обеспечивают совместимость с актуальными серверными платформами Intel и AMD, поддерживающими DDR5 RDIMM, что упрощает модернизацию существующей инфраструктуры и внедрение новых конфигураций на базе современных процессорных архитектур. Низкое рабочее напряжение 1,1 В и использование фирменных микросхем Samsung помогают снизить энергопотребление и тепловыделение при сохранении стабильности работы в условиях круглосуточной нагрузки и высокой плотности установки в стойках ЦОД. В совокупности характеристики M321R4GA3EB2-CCPKF позволяют рассматривать его как надежный строительный блок для масштабируемых серверных систем, обеспечивающих сбалансированное сочетание производительности, энергоэффективности и устойчивости к ошибкам памяти.