Оперативная память Samsung M321R4GA3EB2-CCPWF 32 GB, DDR5, 6400 MHz

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB2-CCPWF — это серверный модуль DDR5 RDIMM емкостью 32 ГБ, предназначенный для современных платформ, которым требуются высокая пропускная способность и надежность подсистемы памяти. Модуль относится к классу DDR5‑6400 и соответствует профилю PC5‑51200: эффективная скорость 6400 МТ/с обеспечивает пропускную способность до 51 200 МБ/с на один DIMM, что критично для виртуализации, высоконагруженных транзакционных систем и in‑memory аналитики. В официальной спецификации Samsung для модели M321R4GA3EB2‑CCP указана ранговая конфигурация 2R x 8 (Dual Rank x8), то есть модуль построен на базе микросхем организации 2Gx8 с двумя рангами, что дает оптимальный баланс между плотностью, производительностью и устойчивостью работы контроллера памяти в конфигурациях до двух модулей на канал (2DPC). Рабочее напряжение 1,1 В соответствует стандарту DDR5 и способствует снижению энергопотребления и тепловыделения по сравнению с DDR4‑решениями, что особенно важно для плотных стоечных систем и круглосуточной эксплуатации в дата‑центрах. Суффикс CCPWF относится к варианту исполнения и поставки внутри семейства M321R4GA3EB2‑CCP(WF), при этом электрические и эксплуатационные характеристики соответствуют официальному описанию серверного модуля DDR5 RDIMM 32 ГБ 6400 МТ/с с поддержкой ECC и регистровой архитектуры.

Технические характеристики и архитектура DDR5 RDIMM

Модуль Samsung M321R4GA3EB2-CCPWF относится к серверной памяти DDR5 RDIMM (Registered DIMM) с поддержкой ECC и ориентирован на корпоративные платформы, где критичны предсказуемость поведения и повышенная отказоустойчивость. Объем одного модуля составляет 32 ГБ, при этом в комплекте поставляется один DIMM, что позволяет гибко масштабировать суммарный объем оперативной памяти, формируя конфигурации от базовых до высокоплотных за счет установки нескольких модулей на канал. Тактовая частота 6400 МГц при профиле PC5‑51200 обеспечивает высокую пропускную способность, востребованную в сценариях с интенсивным обменом данными между процессором и памятью, включая виртуализированные среды, in‑memory базы данных и аналитические решения в реальном времени. Конфигурация 2R x 8, зафиксированная в документации Samsung, подразумевает двухранговый модуль на базе компонентов 2Gx8, что обеспечивает оптимальное сочетание плотности, задержек и стабильности работы контроллера памяти в режимах 1DPC и 2DPC. Поддержка ECC реализуется за счет добавления восьми бит четности, что позволяет автоматически корректировать одиночные ошибки и выявлять ряд многобитных, повышая надежность хранения и обработки данных в критически важных бизнес‑приложениях и сервисах.

• Емкость: 32 ГБ на один модуль DDR5 RDIMM, ориентированный на серверные платформы с поддержкой Registered ECC‑памяти.
• Стандарт: DDR5, профиль PC5‑51200 с эффективной частотой 6400 МТ/с и пропускной способностью до 51 200 МБ/с.
• Конфигурация: 2R x 8 (Dual Rank x8) на базе микросхем 2Gx8, обеспечивающая баланс между плотностью, производительностью и устойчивостью работы контроллера памяти.
• Форм‑фактор: 288‑контактный RDIMM (Registered DIMM), совместимый с современными серверными материнскими платами, поддерживающими DDR5 RDIMM.
• Поддержка ECC: наличие схемы коррекции ошибок с добавлением 8 бит четности для автоматического исправления одиночных и обнаружения части многобитных ошибок.
• Буферизация: регистровая (Registered), с отдельным регистром для сигналов тактирования, команд и управления, стабилизирующим работу при высокой плотности модулей и конфигурациях 2DPC.
• Напряжение питания: 1,1 В, соответствующее стандарту DDR5 и способствующее повышенной энергоэффективности и снижению тепловой нагрузки.
• Типичные тайминги: CAS Latency CL52 для режима DDR5‑6400, обеспечивающие устойчивую работу модуля на заявленной частоте.

Назначение, совместимость и преимущества для серверных систем

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB2-CCPWF ориентирована на использование в серверах общего назначения, высокопроизводительных вычислительных комплексах и корпоративных системах хранения данных, где необходимы высокая пропускная способность и надежность подсистемы памяти. Высокая скорость DDR5‑6400 в сочетании с конфигурацией 2Rx8, поддержкой ECC и регистровой архитектуры делает этот модуль особенно подходящим для сценариев с интенсивным доступом к памяти, включая in‑memory базы данных, аналитические платформы, облачные и виртуализированные среды, а также многопользовательские приложения. Стандартный форм‑фактор DDR5 RDIMM и соответствие профилю PC5‑51200 обеспечивают совместимость с актуальными серверными платформами Intel и AMD, поддерживающими DDR5 RDIMM, что упрощает модернизацию существующей инфраструктуры и внедрение новых конфигураций на базе современных процессорных архитектур. Низкое рабочее напряжение 1,1 В и использование фирменных микросхем Samsung помогают снизить энергопотребление и тепловыделение при сохранении стабильности работы в условиях круглосуточной нагрузки и высокой плотности установки в стойках ЦОД. В совокупности характеристики M321R4GA3EB2-CCPWF позволяют рассматривать его как надежный строительный блок для масштабируемых серверных систем, обеспечивающих сбалансированное сочетание производительности, энергоэффективности и устойчивости к ошибкам памяти.