Внимание
Мы работаем в штатном режиме. Наши склады готовы поставлять оборудование клиентам из Российской Федерации несмотря на санкционные запреты ЕС и США. Оборудование в РФ ввозится легально благодаря новому законодательству с параллельным импортом. Звоните и уточняйте! Информация актуальна на 25.10.26В связи с участившимися случаями недобросовестной конкуренции обращаем ваше внимание, что мы не передаем персональные данные третьим лицам
Поиск по сайту
Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CQK 32 GB, DDR5, 4800 MHz
Наличие по запросу 
Прямой импорт оборудованияиз Китая и ОАЭ без посредников
Наличие по запросу
Почему нет цен?
Уточнить цену
Гарантия до 5 лет
Диагностика перед отправкой
С нами выгодно и удобно!
- Поддержка персонального менеджера
- Партнёрские скидки до 70%
- Онлайн-кабинет гарантийного сервиса
?
Как купить?
Раз, два и все делаРассчитаем стоимость
Присылайте спецификацию для подбора и расчета стоимости оборудования
1Раз
Привезём и подключим
Подключим и настроим оборудование в вашем офисе или ЦОДе
2Два
Характеристики
Производитель
Модель
M425R4GA3BB0-CQK
Количество контактов
262-pin
Напряжение
1.1 В
Частота оперативной памяти
4800 MHz
Объем ОЗУ
32 Гб
Тип ОЗУ
DDR5
Описание
Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CQK — это модуль DDR5 SODIMM емкостью 32 ГБ, предназначенный для современных ноутбуков и компактных систем, которым требуется увеличенный объем оперативной памяти и высокая пропускная способность. Модуль работает на эффективной частоте 4800 MT/s (DDR5‑4800, PC5‑38400) и обеспечивает пропускную способность до 38 400 МБ/с, что заметно повышает скорость обработки данных по сравнению с модулями DDR4, особенно в задачах многозадачности, работы с большими документами и мультимедийным контентом. Конфигурация 2Rx8 реализована на базе шестнадцати DRAM‑кристаллов типа 2G x 8, формирующих общий объем 2G x 128 (32 ГБ), и обеспечивает оптимальное сочетание объема и производительности для мобильных платформ. Номинальное напряжение 1,1 В соответствует стандарту DDR5 JEDEC и снижает нагрузку на подсистему питания ноутбука, что способствует улучшению времени автономной работы и снижению тепловыделения. Благодаря высокому объему, энергоэффективности и надежной архитектуре модуль Samsung M425R4GA3BB0‑CQK является хорошим выбором для апгрейда ноутбуков, используемых для профессиональных, учебных и творческих задач.
Технические характеристики Samsung M425R4GA3BB0-CQK
- Объем модуля: 32 ГБ, один модуль в комплекте (1x32 ГБ), что упрощает расширение оперативной памяти ноутбука.
- Тип памяти: DDR5 SDRAM, SO‑DIMM (SODIMM) форм‑фактора 262 контакта, ориентированный на ноутбуки и компактные ПК.
- Скорость работы: эффективная частота 4800 MT/s, стандарт DDR5‑4800 / PC5‑38400 с пропускной способностью до 38 400 МБ/с.
- Тайминги: CAS‑латентность CL40 с типичными таймингами 40‑40‑40 в соответствии с JEDEC‑профилем.
- Организация: 2Rx8, двухранговая архитектура на шестнадцати DRAM‑кристаллах 2G x 8 (2G x 128 = 32 ГБ).
- Напряжение питания: 1,1 В, соответствующее стандарту DDR5 и способствующее снижению энергопотребления и тепловыделения по сравнению с DDR4.
- Форм‑фактор: 262‑контактный SODIMM стандартной высоты, совместимый с большинством ноутбуков, поддерживающих DDR5‑память.
- Поддержка ECC: отсутствует (non‑ECC), модуль не предназначен для аппаратной коррекции ошибок и ориентирован на клиентские мобильные системы.
- Тип модуля: unbuffered (небуферизованный), без регистра и без подсветки, что делает его универсальным решением для большинства ноутбуков.
- Назначение: ноутбуки, мини‑ПК, неттопы и другие компактные устройства, где требуется сочетание большого объема памяти и высокой пропускной способности.
Преимущества для ноутбуков и компактных систем
Использование Samsung M425R4GA3BB0-CQK позволяет существенно увеличить объем оперативной памяти ноутбука до 32 ГБ на один слот, что особенно важно для пользователей, работающих с виртуальными машинами, большими проектами, графикой или сложными офисными и учебными задачами. Частота 4800 MT/s и пропускная способность до 38 400 МБ/с обеспечивают быстрый обмен данными между процессором и ОЗУ, что повышает отзывчивость системы при многозадачности и работе с тяжелыми приложениями. Двухранговая архитектура 2Rx8 помогает лучше использовать возможности контроллера памяти и повышает эффективность в сценариях с интенсивными обращениями к памяти.
Номинальное напряжение 1,1 В снижает нагрузку на подсистему питания и способствует уменьшению тепловыделения, что положительно влияет на время автономной работы и надежность системы при длительных нагрузках. Отсутствие ECC делает модуль более доступным по цене и оптимальным для массовых мобильных систем, где аппаратная коррекция ошибок не является решающим требованием. В совокупности большой объем, современный стандарт DDR5, энергоэффективность и надежность бренда Samsung делают M425R4GA3BB0‑CQK удачным выбором для апгрейда и конфигурации ноутбуков и компактных ПК, рассчитанных на длительную стабильную работу и высокий уровень производительности.
Официальное сертифицированное оборудование
Бесплатный
подбор оборудования
подбор оборудования
Расчёт КП за 20 минут
Отсрочка платежа
до 90 дней
до 90 дней
Доставка по Москве 2-3 дня
