Поиск по сайту

Поиск по сайту
Поиск по сайту
Рейтинг яндекса

Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CWM 8 GB, DDR5, 5600 MHz

Артикул: M425R1GB4BB0-CWM
Наличие по запросу QR Code
Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CWM 8 GB, DDR5, 5600 MHz
Samsung
Флаг Китая и ОАЭ Прямой импорт оборудования
из Китая и ОАЭ без посредников
Наличие по запросу
Samsung DDR5 SODIMM 8GB 5600 1Rx16, 1.1V

Почему нет цен?

Уточнить цену

Доставка по РФ

Техническая поддержка

Гарантия до 5 лет

Диагностика перед отправкой

С нами выгодно и удобно!

  • Поддержка персонального менеджера
  • Партнёрские скидки до 70%
  • Онлайн-кабинет гарантийного сервиса
?

Как купить?

Раз, два и все дела

Рассчитаем стоимость

Присылайте спецификацию для подбора и расчета стоимости оборудования

1Раз

Привезём и подключим

Подключим и настроим оборудование в вашем офисе или ЦОДе

2Два

Характеристики

Производитель
Модель
M425R1GB4BB0-CWM
Количество контактов
262-pin
Напряжение
1.1 В
Частота оперативной памяти
5600 MHz
Объем ОЗУ
8 Гб
Тип ОЗУ
DDR5

Описание

Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CWM — это модуль DDR5 SODIMM емкостью 8 ГБ, предназначенный для современных ноутбуков и компактных систем, поддерживающих стандарт DDR5. Модуль относится к классу unbuffered non‑ECC и работает на эффективной частоте 5600 MT/s (DDR5‑5600, PC5‑44800), обеспечивая пропускную способность до 44 800 МБ/с, что дает заметный прирост производительности по сравнению с решениями на основе DDR4. Конфигурация 1Rx16 реализована на базе четырех DRAM‑кристаллов организации (1G x 16) x 4, формирующих общий объем 1G x 64 (8 ГБ), и оптимизирована для мобильных платформ, где важен баланс между производительностью, энергопотреблением и тепловыделением. Номинальное напряжение 1,1 В соответствует стандарту DDR5 и помогает снизить нагрузку на подсистему питания ноутбука, что позитивно сказывается на времени автономной работы и температурном режиме. Благодаря сочетанию высокой частоты, энергоэффективности и компактного форм‑фактора модуль Samsung M425R1GB4BB0‑CWM подходит как для апгрейда существующих ноутбуков с поддержкой DDR5, так и для комплектации новых мобильных систем.

Технические характеристики Samsung M425R1GB4BB0-CWM

  • Объем модуля: 8 ГБ, один модуль в комплекте, что упрощает поэтапное расширение объема оперативной памяти ноутбука.
  • Тип памяти: DDR5 SDRAM, SODIMM (Small Outline DIMM) форм‑фактора 262 контакта для ноутбуков и компактных систем.
  • Скорость работы: эффективная частота 5600 MT/s, стандарт DDR5‑5600 / PC5‑44800 с пропускной способностью до 44 800 МБ/с.
  • Тайминги: CAS‑латентность CL40–46 (типично CL46), оптимизированная для мобильных платформ в режиме DDR5‑5600.
  • Организация: 1R x 16, архитектура на четырех кристаллах DRAM конфигурации (1G x 16) x 4 (1G x 64 = 8 ГБ).
  • Напряжение питания: 1,1 В, соответствующее стандарту DDR5, что снижает энергопотребление и тепловыделение по сравнению с DDR4‑памятью 1,2 В.
  • Форм‑фактор: 262‑контактный SODIMM стандартной высоты, совместимый с большинством ноутбуков, поддерживающих DDR5.
  • Коррекция ошибок: non‑ECC, модуль не поддерживает аппаратную коррекцию ошибок и ориентирован на клиентские мобильные системы.
  • Назначение: ноутбуки, мини‑ПК, неттопы и другие компактные устройства, где важны высокая пропускная способность и энергоэффективность памяти.
  • Производитель: Samsung, один из ведущих мировых производителей DRAM, что обеспечивает высокий уровень надежности и совместимости.

Преимущества для ноутбуков и компактных систем

Использование Samsung M425R1GB4BB0-CWM в ноутбуке позволяет ощутимо повысить скорость работы системы при многозадачности, работе с браузером с большим количеством вкладок, офисными приложениями и мультимедийным контентом благодаря высокой частоте 5600 MT/s и пропускной способности до 44 800 МБ/с. Переход на DDR5 по сравнению с DDR4 дает дополнительные преимущества в виде улучшенной энергоэффективности и более высокой плотности, что особенно важно для мобильных устройств с ограниченными ресурсами питания и охлаждения. Конфигурация 1Rx16 и компактный форм‑фактор 262‑контактного SODIMM обеспечивают широкую совместимость с актуальными ноутбуками: в большинстве случаев достаточно установить модуль в свободный слот, и система автоматически определит его параметры.

Номинальное напряжение 1,1 В снижает нагрузку на подсистему питания и способствует снижению нагрева, что положительно отражается на стабильности и уровне шума системы охлаждения. Отсутствие ECC делает модуль более доступным по стоимости и оптимальным для массовых мобильных систем, где требования к аппаратной коррекции ошибок ниже, чем в серверной среде. В совокупности высокая скорость, современный стандарт DDR5, энергоэффективность и надежность бренда Samsung делают M425R1GB4BB0‑CWM удачным выбором для апгрейда и конфигурации ноутбуков и компактных ПК, рассчитанных на длительную стабильную работу и комфортный уровень производительности.

Официальное сертифицированное оборудование
Бесплатный
подбор оборудования
Расчёт КП за 20 минут
Отсрочка платежа
до 90 дней
Доставка по Москве 2-3 дня