Внимание
Мы работаем в штатном режиме. Наши склады готовы поставлять оборудование клиентам из Российской Федерации несмотря на санкционные запреты ЕС и США. Оборудование в РФ ввозится легально благодаря новому законодательству с параллельным импортом. Звоните и уточняйте! Информация актуальна на 25.10.26В связи с участившимися случаями недобросовестной конкуренции обращаем ваше внимание, что мы не передаем персональные данные третьим лицам
Поиск по сайту
Оперативная память Samsung M435R1GB4PB1-CCP 8 GB, DDR5, 6400 MHz
Наличие по запросу 
Прямой импорт оборудованияиз Китая и ОАЭ без посредников
Наличие по запросу
Почему нет цен?
Уточнить цену
Гарантия до 5 лет
Диагностика перед отправкой
С нами выгодно и удобно!
- Поддержка персонального менеджера
- Партнёрские скидки до 70%
- Онлайн-кабинет гарантийного сервиса
?
Как купить?
Раз, два и все делаРассчитаем стоимость
Присылайте спецификацию для подбора и расчета стоимости оборудования
1Раз
Привезём и подключим
Подключим и настроим оборудование в вашем офисе или ЦОДе
2Два
Характеристики
Производитель
Модель
M435R1GB4PB1-CCP
Количество контактов
262-pin
Напряжение
1.1 В
Частота оперативной памяти
6400 MHz
Объем ОЗУ
8 Гб
Тип ОЗУ
DDR5
Описание
Оперативная память Samsung M435R1GB4PB1-CCP — это модуль DDR5 SODIMM емкостью 8 ГБ, ориентированный на современные ноутбуки и компактные системы, поддерживающие стандарт DDR5 и требующие высокой пропускной способности памяти. Модуль относится к классу unbuffered non‑ECC и работает на эффективной частоте 6400 MT/s (DDR5‑6400, PC5‑51200), обеспечивая пропускную способность до 51 200 МБ/с, что существенно превосходит показатели DDR4‑памяти и улучшает отзывчивость системы при многозадачности и ресурсоемких сценариях. Конфигурация 1Rx16 реализована на базе четырех DRAM‑кристаллов организации (1G x 16) x 4, формирующих общий объем 1G x 64 (8 ГБ), и оптимизирована для мобильных платформ, где важен баланс между производительностью, энергопотреблением и тепловыделением. Номинальное напряжение 1,1 В соответствует стандарту DDR5 JEDEC и снижает нагрузку на подсистему питания ноутбука, что положительно сказывается на времени автономной работы и уровне нагрева. Благодаря сочетанию высокой частоты, энергоэффективности и компактного форм‑фактора модуль Samsung M435R1GB4PB1‑CCP подходит как для апгрейда существующих ноутбуков с поддержкой DDR5, так и для комплектации новых мобильных систем.
Технические характеристики Samsung M435R1GB4PB1-CCP
- Объем модуля: 8 ГБ, одномодульная комплектация, упрощающая поэтапное расширение объема оперативной памяти ноутбука.
- Тип памяти: DDR5 SDRAM, SO‑DIMM (SODIMM) форм‑фактора 262 контакта для ноутбуков и компактных ПК.
- Скорость работы: эффективная частота 6400 MT/s, стандарт DDR5‑6400 / PC5‑51200 с пропускной способностью до 51 200 МБ/с.
- Тайминги: CAS Latency (CL) 52, соответствующая JEDEC‑профилю для режима DDR5‑6400 и обеспечивающая предсказуемые задержки доступа к данным.
- Организация: 1R x 16, архитектура на четырех кристаллах DRAM конфигурации (1G x 16) x 4 (1G x 64 = 8 ГБ).
- Напряжение питания: 1,1 В, соответствующее стандарту DDR5 и способствующее снижению энергопотребления и тепловыделения по сравнению с DDR4.
- Форм‑фактор: 262‑контактный SO‑DIMM, совместимый с широким спектром ноутбуков и мини‑ПК с поддержкой DDR5‑памяти.
- Коррекция ошибок: non‑ECC, модуль не поддерживает аппаратную коррекцию ошибок и предназначен для клиентских мобильных систем.
- Применение: игровые и профессиональные ноутбуки, мультимедийные системы, компактные ПК, ориентированные на высокую пропускную способность и современный стандарт памяти.
- Производитель: Samsung Electronics, один из лидеров рынка DRAM, что гарантирует высокий уровень надежности и совместимости.
Преимущества для ноутбуков и компактных систем
Установка Samsung M435R1GB4PB1-CCP в ноутбук позволяет заметно повысить скорость работы системы при многозадачности, запуске современных приложений и работе с большими объемами данных благодаря частоте 6400 MT/s и пропускной способности до 51 200 МБ/с. Такая конфигурация особенно выгодна для игровых ноутбуков и рабочих станций, где важны быстрый отклик, плавная работа приложений и сокращение времени загрузки. Переход на DDR5 по сравнению с DDR4 дает дополнительные преимущества в виде улучшенной энергоэффективности, оптимизированной архитектуры контроллера памяти и потенциально большего ресурса модернизации системы.
Номинальное напряжение 1,1 В снижает нагрузку на подсистему питания и помогает уменьшить тепловыделение, что важно для компактных корпусов ноутбуков с ограниченными возможностями охлаждения. Одноранговая архитектура 1Rx16 и одномодульная комплектация упрощают установку и обеспечивают широкую совместимость: в большинстве случаев достаточно установить планку в слот SODIMM, после чего система автоматически определит ее параметры. В совокупности высокая скорость, современный стандарт DDR5, форм‑фактор SODIMM и надежность бренда Samsung делают M435R1GB4PB1‑CCP удачным выбором для апгрейда и конфигурации ноутбуков и компактных ПК, рассчитанных на долгосрочную стабильную работу и высокий уровень производительности.
Официальное сертифицированное оборудование
Бесплатный
подбор оборудования
подбор оборудования
Расчёт КП за 20 минут
Отсрочка платежа
до 90 дней
до 90 дней
Доставка по Москве 2-3 дня
