Гарантия до 5 лет
Диагностика перед отправкой
Присылайте спецификацию для подбора и расчета стоимости оборудования
Подключим и настроим оборудование в вашем офисе или ЦОДе
Внутренний SSD-накопитель Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW емкостью 1 ТБ — это высокопроизводительное NVMe‑решение формата M.2 2280, рассчитанное на современные настольные ПК и ноутбуки, где важны максимум скорости и эффективное использование PCIe 4.0. Накопитель использует интерфейс PCIe 4.0 x4 с обратной совместимостью с PCIe 5.0 x2 и протокол NVMe 2.0, обеспечивая последовательное чтение до 7150 МБ/с и запись до 6300 МБ/с, что радикально сокращает время загрузки ОС, запуска приложений и копирования крупных проектов по сравнению не только с SATA‑SSD, но и со многими решениями на PCIe 3.0. В основе диска лежит фирменная V‑NAND TLC, оптимизированная для клиентских систем: она сочетает высокую плотность хранения, стабильную производительность и энергоэффективность, необходимую для мощных, но компактных конфигураций. Для модели емкостью 1 ТБ заявлен ресурс перезаписи до 600 ТБW и среднее время наработки на отказ 1.5 млн часов, что обеспечивает достаточный запас прочности для ежедневной интенсивной работы с играми, мультимедийными материалами и профессиональными проектами в течение многих лет.
Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ создан для того, чтобы раскрыть потенциал интерфейса PCIe 4.0 x4 (и PCIe 5.0 x2) в массовых системах, предлагая уровень быстродействия, ориентированный на требовательные профессиональные и игровые сценарии. Последовательное чтение до 7150 МБ/с и запись до 6300 МБ/с дополняются высокой производительностью на случайных операциях: до 850 000 IOPS при чтении и до 1 350 000 IOPS при записи (4K, QD32), что критично для быстрого отклика ОС, многозадачности и работы с большим количеством мелких файлов. Архитектура накопителя опирается на контроллер Samsung с поддержкой NVMe 2.0 и механизм HMB (Host Memory Buffer), использующий часть оперативной памяти хоста для кэширования служебных таблиц и снижения задержек при доступе к данным без отдельного DRAM‑чипа. Фирменная технология Intelligent TurboWrite 2.0 с расширенным динамическим SLC‑буфером позволяет удерживать высокие скорости записи при передаче больших массивов данных, а поддержка TRIM, усовершенствованного Garbage Collection, S.M.A.R.T и ПО Samsung Magician обеспечивает стабильную производительность, мониторинг состояния и удобное обновление прошивки при длительной эксплуатации.
С точки зрения надежности Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ рассчитан на длительную эксплуатацию в составе клиентских систем, предлагая ресурс перезаписи до 600 ТБW и среднее время наработки на отказ 1.5 млн часов, что эквивалентно примерно 0.3 DWPD в течение типового срока службы. Такой запас прочности делает накопитель подходящим для ролей системного диска и основного хранилища для объемных игровых библиотек, профессиональных каталогов фото и видео, а также рабочих проектов, где ежедневно выполняются значительные объемы записи и перезаписи. Форм-фактор M.2 2280 (максимально 80.15 × 22.15 × 2.38 мм) и масса до 9 г обеспечивают широкую совместимость с современными материнскими платами, игровыми сборками, рабочими станциями и тонкими ноутбуками, где важно минимальное занимаемое пространство и отсутствие кабелей. Устойчивость к ударам до 1500 G (0.5 мс, полусинус), рабочий диапазон температур 0–70 °C, низкое энергопотребление (порядка 4.3/4.2 Вт при чтении/записи, десятки милливатт в режимах простоя) и поддержка аппаратного шифрования AES 256‑bit (Class 0, TCG Opal 2.0, Microsoft eDrive) делают 990 EVO Plus 1 ТБ надежной и безопасной основой для высокопроизводительных систем, ориентированных на работу с чувствительными данными и интенсивными нагрузками.